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深圳市科翼源电子有限公司
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询价相关产品
产品信息
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 5.9 A
Rds On-漏源导通电阻: 29 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 12 V, + 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 450 mV
Pd-功率耗散: 1.4 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Diodes Incorporated
配置: Single
高度: 1 mm
长度: 2.9 mm
产品: MOSFET Small Signal
产品类型: MOSFET
系列: DMN2050
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 1.3 mm
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 5.9 A
Rds On-漏源导通电阻: 29 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 12 V, + 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 450 mV
Qg-栅极电荷: 6.7 nC
ZUI小工作温度: - 55 C
ZUI大工作温度: + 150 CPd-功率耗散: 1.4 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Diodes Incorporated
配置: Single
高度: 1 mm
长度: 2.9 mm
产品: MOSFET Small Signal
产品类型: MOSFET
系列: DMN2050
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 1.3 mm
单位重量: 8 mg
DMN2050L-7 DMN2050L-7 DMN2050L-7